ফরোয়ার্ড বায়াসিং (Forward Biasing):
যখন একটি p-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ধনাত্মক টার্মিনালের সাথে এবং একটি n-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ঋণাত্মক টার্মিনালের সাথে যুক্ত থাকে, তখন সেটিকে ফরোয়ার্ড বায়াসিং বলা হয়। এ অবস্থায় বিভব প্রাচীর (Potential Barrier) হ্রাস পায় এবং সহজে তড়িৎ প্রবাহ চলাচল করতে পারে।

জাংশন ডায়োড (Junction Diode):

• p-টাইপ এবং n-টাইপ অর্ধপরিবাহীকে বিশেষ প্রক্রিয়ায় যুক্ত করলে যে সংযোগ গঠিত হয়, তাকে p-n জাংশন বা জাংশন ডায়োড বলা হয়।

• যেহেতু এটি দুটি অর্ধপরিবাহী দিয়ে তৈরি, তাই একে অর্ধপরিবাহী ডায়োডও বলা হয়।

p-n জাংশনের বায়াসিং এর ধরন:
একটি p-n জাংশনকে দুটি ভিন্নভাবে বায়াস করা যায়—
১। সম্মুখী ঝোঁক (Forward Bias)
২। বিমুখী ঝোঁক (Reverse Bias)

সম্মুখী ঝোঁক (Forward Bias):

• যখন p-n জাংশনে বহিঃস্থ ভোল্টেজ এমনভাবে প্রয়োগ করা হয় যে বিভব প্রাচীর হ্রাস পায় বা নিষ্ক্রিয় হয় এবং তড়িৎ প্রবাহ সহজে চলাচল করতে পারে, তখন তাকে সম্মুখী ঝোঁক বলা হয়।

• অর্থাৎ, বহিঃস্থ উৎসের ধনাত্মক প্রান্ত p-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর-এর সাথে এবং ঋণাত্মক প্রান্ত n-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর-এর সাথে যুক্ত করলে সেটি ফরোয়ার্ড বায়াস হয়।

বিমুখী ঝোঁক (Reverse Bias):

• যখন p-n জাংশনে বহিঃস্থ ভোল্টেজ এমনভাবে প্রয়োগ করা হয় যে বিভব প্রাচীরের উচ্চতা বৃদ্ধি পায় এবং তড়িৎ প্রবাহ কার্যত বন্ধ হয়ে যায়, তখন তাকে বিমুখী ঝোঁক বলা হয়।

• অর্থাৎ, বহিঃস্থ উৎসের ধনাত্মক প্রান্ত n-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর-এর সাথে এবং ঋণাত্মক প্রান্ত p-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর-এর সাথে যুক্ত করলে সেটি রিভার্স বায়াস হয়।